卓上型酸化物単結晶育成装置
TCR-3（抵抗加熱式） / TCH-3（誘導加熱式）
■特長
１．研究室及び学生実験向け小型単結晶育成装置（CZ法）です。
２．抵抗加熱式、誘導加熱式を選択できます。
３．加熱調節計には自動昇降温機能を搭載。
４．コンパクト設計により操作性が向上。省エネ型でもあります。
５．オプションの使用により以下の育成実験が可能です。
・TSSG法（キロポーラス法）
・BM法（ルツボ吊り下げ方式）
・LPE法（ディッピング法）
製品仕様
| 型式・名称 | TCR-3 | TCH-3 |
| 加熱方式 | 抵抗加熱(金属ヒータ) | 誘導加熱(高周波発振機) |
| 加熱温度 | 1200℃ | 1800℃ |
| ルツボサイズ | ø 30(OD) ×30(H)mm | |
| 炉心管サイズ | ø 61(ID) ×450(H)mm | |
| 引上ストローク | 350mm | |
| 移動速度 | 1～10mm/h | |
| 回転速度 | 3～30rpm | |
| 炉内雰囲気 | Ar 又はN2 | |
| 設備電源容量 | 1ø AC200V 4KVA 20A | 1ø AC200V 6KVA 30A |
| 外形サイズ(mm) | W700×D500×H1125 | W750×D650×H1950 |
| オプション | ロードセル(20N用) | |